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Amplificatore banda larga 10 MHz - 1...

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Amplificatore banda larga 10 MHz - 1...
Amplificatore banda larga 10 MHz - 1 GHz
SU-55
pag 1
NH2503S è un modulo amplificatore di piccole
dimensioni che utilizza 2 transistor molto noti montati in
tecnologia a film spesso (un BFR90 e un BFR91), su
una piccola basetta di allumina ricoperta poi con della
resina per evitare contaminazioni e rendere il tutto
protetto da ossidazione e invecchiamento . La tecnologia
a film spesso offre il vantaggio di poter realizzare circuiti
molto piccoli ad alte prestazioni, il principale vantaggio è
quello di un substrato ad elevata stabilità meccanica
verso le variazioni di temperatura, elevata rigidità
dielettrica e possibilità di dissipare calore . Le resistenze
vengono direttamente depositate sul substrato e
singolarmente tarate, sono antiduttive e con ottime
prestazioni in RF.
Il modulo amplificatore a larga banda è facile da montare
e necessita solo di 4 componenti esterni , il circuito è già
adattato a 50 / 75 Ohm sull'intera banda di frequenza sia
in ingresso che uscita. Trova applicazione come
amplificatore ad uso generale entro la banda da 10 MHz
a 1 GHz , con un guadagno di circa 14-15dB e una
ondulazione di solo ±1dB sull'intera banda . La gamma di
alimentazione è molto ampia , va da un minimo di 8V fino
a 18V con un assorbimento di 30 mA a 12V.
NH2503S is a small size amplifier module that uses 2
well known transistors mounted in thick film tecnology (a
BFR90 and a BFR91) on a small alumina base covered
with resin to avoid contaminations and protect from
oxidation and aging. The thick film technology offer the
advantage to realize very small circuits with high
performances, the main feature is a high mechanical
stability substrate against temperature variations, high
dielectric stability and heat dissipation. The resistors are
mounted on the substrate and tuned one by one, they
are anti-inductive with high performances in RF.
The wideband amplifier module is easy to mount and it
needs only 4 external components, the circuit is already
matched to 50 / 75Ohm on the entire frequency band
both for input and output. It can be used as general
purpose amplifier with bandwidth 10MHz to 1GHz, with
gain of about 14-15dB with a ripple of only ±1dB on the
entire band. The power supply range is very wide, from a
minimum of 8V up to 18V with an absorption of 30mA at
12V
Gamma di frequenza : 10 MHz - 1 GHz
Alimentazione : da 8 a 18 V , tipico 12 V con 30 mA
Guadagno : 15 dB ±1 ( 13 dB a 10 MHz e 1 GHz )
Potenza in uscita : 4 - 5 mW max
Frequency range : 10 MHz - 1 GHz
Power supply : from 8 to 18 V , typical 12 V with 30 mA
Gain : 15 dB ±1 ( 13 dB at 10 MHz and 1 GHz )
Output power : 4 - 5 mW max
come per tutti i circuiti in RF
tenere i reofori molto corti
As for all RF circuits keep the
leads very short
Condensatori : tutti ceramici da 2.2nF a 10nF, il valore non
è critico poiché la funzione è solo di disaccoppiamento.
Induttanza : choke per RF da 3,3µH a 27µH, oppure 20
spire avvolte su una piccola ferrite, il valore non è critico.
Dimensioni : 25 x 14 mm
size : 25 x 14 mm
Capacitors: they are all ceramic from 2.2nF to 10nF, the
value is not critical because they are used only for the
decoupling.
Inductor: RF choke from 3,3µH to 27µH or 20 turns winded
on a small ferrite core, the value is not critical.
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